西安伊福网络技术有限公司

01.化学放大正性光刻胶组合物
02.化学增强型光刻胶组合物 
03.光刻胶组合物
04.去除光刻胶的方法以及再生光刻胶的方法
05.适用于产酸物的树脂和含有该树脂的化学放大正性光刻胶组合物
06.光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案形成方法
07.用于光刻胶的抗反射组合物 
08.光刻胶聚合物.光刻胶组合物及制造半导体装置的方法 
09.光刻胶单体及其聚合物以及包含该光刻胶聚合物的光刻胶组合物 
10.光刻胶组合物,薄膜图案形成方法.TFT阵列面板制造方法 
11.用于深紫外的光刻胶组合物及其工艺 
12.用于光刻胶的阻挡涂敷组合物及使用该组合物形成光刻胶图形的方法
13.光刻胶组合物和使用方法
14.光刻胶液制备方法及使用该光刻胶液的光刻胶膜 
15.具有多环内脂结构单元的聚合物在深紫外光刻胶中的应用
16.浸液曝光用正型光刻胶组成物及光刻胶图案的形成方法 
17.包含具有螺环缩酮基团的单体的光刻胶聚合物及其组合物 
18.制备化学放大正性光刻胶用树脂的方法 
19.用于形成液浸曝光工艺用光刻胶保护膜的材料.以及使用该保护膜的光刻胶图案形成方法 
20.含硅偶联剂的193nm光刻胶及其成膜树脂 
21.光刻胶稀释剂的制造方法 
22.含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂 
23.光刻胶组合物 
24.光刻胶聚合物组合物 
25.增强光刻胶黏性的无定形碳层
26.微光刻技术用光刻胶组合物中的溶解抑制剂 
27.正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法 
28.193nm远紫外光刻胶及其制备方法 
29.用于改进临界尺寸计算中使用的光刻胶模型的校准的方法.程序产品以及设备 
30.包括金刚形烃衍生物的光刻胶组合物 
31.用于从衬底去除光刻胶的方法和设备 
32.深紫外正性光刻胶及其成膜树脂 
33.含有树脂掺合物的光刻胶组合物 
34.正型光刻胶组合物及形成光刻胶图案的方法 
35.化学放大型正光刻胶组合物，(甲基)丙烯酸酯衍生物及其制备方法
36.含硅偶联剂的共聚物成膜树脂及其193nm光刻胶 
37.从光刻胶和/或剥离液中回收有机化合物的方法 
38.光刻胶成膜树脂制备中的聚合物选择水解方法 
39.使用光刻胶层来形成多重导线连接的方法 
40.涂布膜的加热装置和光刻胶的处理装置 
41.光敏聚合物及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物 
42.光刻胶用抗反射组合物 
43.改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法 
44.光刻胶保护膜用组合物.光刻胶保护膜及光刻胶图形形成方法 
45.光刻胶的去除 
46.光刻胶涂覆设备及光刻胶涂覆方法 
47.用于去除光刻胶的组合物及利用该组合物形成图案的方法 
48.采用负性光刻胶组合物形成电镀产品的方法以及在该方法中使用的光敏组合物 
49.光刻胶涂覆装置及其方法 
50.脱除衬底上光刻胶的方法 
51.光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案的形成方法 
52.用叠层光刻胶牺牲层制备MEMS悬空结构的方法 
53.用来与外涂的光刻胶一起使用的涂料组合物 
54.与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物 
55.光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法 
56.用于去除半导体器件的改性光刻胶的光刻胶去除剂组合物 
57.光刻胶液供给装置及用于得到它的改造套件 
58.用于去除光刻胶的组合物 
59.用于涂覆光刻胶图案的组合物 
60.利用具有热流动特性的负光刻胶层制造半导体的方法 
61.用于有机硅化物玻璃的一氧化二氮去除光刻胶的方法 
62.在光刻胶去除过程中最小化阻障材料损失的方法 
63.与外涂的光刻胶一起使用的涂层组合物 
64.利用具有碳层的传输掩模构图晶片上的光刻胶的方法 
65.光刻胶组合物.层压材料.图案形成方法和制造半导体器件的方法 
66.涂料组合物.抗反射膜.光刻胶及采用该光刻胶的图形形成方法 
67.用于涂敷光刻胶的装置和方法 
68.软烘焙基板上的光刻胶的装置和方法 
69.用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 
70.化学放大型光刻胶组合物 
71.使用具有多层ARC的反射掩模在晶片上图案化光刻胶的方法 
72.利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法 
73.与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物 
74.化学放大型正型光刻胶组合物 
75.控制光刻胶组合物溶解速率差的方法 
76.用于光刻胶的感光树脂组合物 
77.用于在制造半导体器件等中分配光刻胶的方法和设备 
78.氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用 
79.具有改善抗蚀性能的氟化光刻胶材料 
80.用于深UV的光刻胶组合物及其成像方法 
81.适合用来除去光刻胶.光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用 
82.光刻胶组合物及用它形成薄膜图案的方法以及用它制备薄膜晶体管阵列板的方法 
83.双层光刻胶干法显影的方法和装置 
84.交联聚合物.有机抗反射涂层组合物及形成光刻胶图案的方法 
85.含有包括氟磺酰胺基团的聚合物的正型光刻胶组合物及其使用方法 
86.化学放大型正光刻胶组合物 
87.除去光刻胶和蚀刻残渣的方法 
88.包含缩醛和缩酮作为溶剂的光刻胶组合物 
89.光刻胶层中减小图案尺寸的方法 
90.纳米压印光刻胶 
91.去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 
92.光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法及有机物除去装置和有机物除去方法 
93.光刻胶除去装置和光刻胶除去方法 
94.稀释剂组分及用其除去光刻胶的方法 
95.包含光活性化合物混合物的用于深紫外平版印刷的光刻胶组合物 
96.一种化学放大型正光刻胶组合物 
97.正性光刻胶的制作方法 
98.光刻胶剥离剂组合物 
99.用于液晶设备的正型光刻胶组合物 
100.聚合物和含有该聚合物的光刻胶 
101.氟化的硅-聚合物和包含该聚合物的光刻胶 
102.一种光刻胶涂敷装置 
103.正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法 
104.磺酸盐和光刻胶组合物 
105.用于涂布EUV平板印刷术基底的方法和具有光刻胶层的基底 
106.光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法 
107.微石印术用光刻胶组合物中的光酸产生剂 
108.光刻胶修整方法 
109.正型光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法 
110.正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法 
111.化学放大型正光刻胶组合物及其树脂 
112.光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法 
113.适用作光刻胶的可紫外线固化的粉末 
114.负性深紫外光刻胶 
115.一种用于正性或负性光刻胶的清洗剂组合物 
116.带有环状缩酮保护基的含硅光刻胶体系 
117.包含添加剂用于深UV辐射的光刻胶组合物 
118.磺酸盐和光刻胶组合物 
119.光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺 
120.用于微型平板印刷术的多环含氟聚合物及光刻胶 
121.聚合物中的保护基,光刻胶及微细光刻的方法 
122.聚合物掺混物及其在用于微细光刻的光刻胶组合物中的应用 
123.负性光刻胶树脂涂布液及其制备方法 
124.光刻胶掩模及其制作方法 
125.光刻胶沉积设备以及使用该设备形成光刻胶薄膜的方法 
126.短波成像用溶剂和光刻胶组合物 
127.光刻胶脱膜组成物及使用该组成物的模型形成方法 
128.用于深紫外光刻术的光刻胶组合物 
129.衬底处理和光刻胶曝光方法 
130.光刻胶组合物.层压材料.图案形成方法和制造半导体器件的方法 
131.含有含多个酸不稳定部分的侧基团的聚合物的光刻胶组合物 
132.微刻用光刻胶组合物中的溶解抑制剂 
133.适于光刻胶组合物的聚合物 
134.用于光刻胶的感光树脂组合物 
135.集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化的工艺 
136.化学放大型光刻胶组合物 
137.负作用水性光刻胶组合物 
138.化学放大型正光刻胶组合物 
139.光刻胶树脂,化学增强光刻胶组合物及图样的形成方法 
140.氟化聚合物,光刻胶和用于显微光刻的方法 
141.化学增强型正光刻胶组合物 
142.含有氧和硫脂环族单元的聚合物和包含该聚合物的光刻胶组合物 
143.用于光刻胶的抗反射涂料 
144.光刻胶组合物 
145.使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶及残渣 
146.用于液晶设备的正型光刻胶组合物 
147.聚合物和含有该聚合物的光刻胶 
148.氟化的硅-聚合物和包含该聚合物的光刻胶 
149.一种光刻胶涂敷装置 
150.正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法 
151.磺酸盐和光刻胶组合物 
152.设计图形.光掩模.光刻胶图形及半导体器件的制造方法 
153.用于涂布EUV平板印刷术基底的方法和具有光刻胶层的基底 
154.光刻胶灵敏度的评价方法和光刻胶的制造方法 
155.微石印术用光刻胶组合物中的光酸产生剂 
156.光刻胶修整方法 
157.正型光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法 
158.光刻胶残渣去除剂 
159.光刻胶膜去除方法及其所用装置 
160.产生粒子少的光刻胶组合物的制造方法 
161.制造光活性化合物以及由其制造光刻胶的方法 
162.光刻胶洗涤组合物 
163.水溶性负性光刻胶组合物 
164.具有腈和脂环族离去基团的共聚物和包含该共聚物的光刻胶组合物 
165.化学放大型正光刻胶组合物 
166.化学增强型正光刻胶组合物和锍盐 
167.用于正性光刻胶的混合溶剂体系 
168.光刻胶及微平版印刷术 
169.化学放大型正光刻胶组合物 
170.经分馏的线型酚醛清漆树脂和由其得到的光刻胶组合物 
171.用于193纳米波长的正性光刻胶组合物 
172.化学放大型正光刻胶组合物 
173.化学增强型正光刻胶组合物和锍盐 
174.含脂环族溶解抑制剂的正光刻胶组合物 
175.用于深紫外线光刻胶的防反射组合物 
176.环状烯烃聚合物和添加剂的光刻胶组合物 
177.化学增强型正光刻胶组合物 
178.化学增强型光刻胶 
179.改善光刻胶耐刻蚀性的方法 
180.包含具有酸不稳定侧基的多环聚合物的光刻胶组合物 
181.含有环烯烃聚合物及疏水非甾族多脂环添加剂的光刻胶组合物 
182.环烯烃聚合物与疏水性非甾族脂环添加剂的光刻胶组合物 
183.含包括酸不稳定侧基的多环聚合物的光刻胶组合物 
184.用于多层光刻胶方法的热固性聚酯防反射涂料 
185.用于高光敏度高抗蚀厚涂层i－线光刻胶的磺酰肟类 
186.一种化学增强型正光刻胶组合物 
187.包含新的光活性化合物的正性光刻胶 
188.用于光刻胶组合物的抗反射涂料组合物及其用途 
189.分级酚醛清漆树脂共聚物以及由其得到的光刻胶组合物 
190.厚膜光刻胶的低温金属化制备方法 
191.含缩聚物的光刻胶组合物 
192.一种形成光刻胶图形的方法 
193.在集成电路生产中清洗光刻胶的组合物 
194.光刻胶组合物,其制备方法和用其形成图纹的方法 
195.正性光刻胶组合物的热处理方法 
196.含2,4-二硝基-1-萘酚的正性光刻胶组合物 
197.光刻胶组合物用的水性抗反射涂料 
198.光敏树脂组合物和用于生产印刷电路板的光刻胶油墨 
199.改善光刻胶耐蚀刻性的方法 
200.含有环烯烃聚合物及饱和甾族添加剂的光刻胶组合物 
201.光刻胶用剥离液组合物 
202.光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法 
203.用于深紫外线辐射的光刻胶组合物 
204.化学放大型正性光刻胶组合物 
205.化学增强光刻胶及一种光刻胶合成物 
206.光刻胶剥离剂组合物 
207.具有酸反应性基团的新颖含氟聚合物以及使用这些材料的化学增幅型光刻胶组合物 
208.光刻胶用剥离液和使用该剥离液的光刻胶剥离方法 
209.光刻胶去除剂混合物 
210.负作用化学放大的光刻胶组合物 
211.环状锍和氧化锍及含有它们的光致酸生成剂和光刻胶 
212.光刻胶剥离组合物及清洗组合物
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